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2024-06-05
+2018-08-14
+2023-02-06
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詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環保,能源,電子/電池,綜合 |
關鍵詞：濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數，半導體
系統組成：HEM-200 高低溫霍爾效應測試系統本儀器系統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件組成。本套系統測試應用的是最新的KEITHLEY 進口測試源表，配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡，極大提高了樣品的供電電流和測試樣品的霍爾電壓的量程和精度，寬電流供電和寬電壓測試范圍可以覆蓋市面上絕大多數的半導體器件。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。
系統參數:
我們可提供各類霍爾效應測試系統用于教學和研究
可測試材料:
物理學參數 | 載流子濃度(Carrier Density) | 103cm-3~ 1023cm-3 |
遷移率(Mobility) | 0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec | |
電阻率范圍(Resistivity) | 10-70hm*cm~ 10100hm*cm | |
霍爾電壓(Hall voltage) | 10nV~ 200V | |
霍爾系數 | ±10-5~ 1027cm-3/C | |
可測試材料類 | 半導體材料 | SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的 GaAs，GaN，CdTe 等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與N型測試 | |
磁鐵類型 | 磁場可變電磁鐵 | |
磁場環境 | 磁場大小 | 2000mT(極頭間距為:10mm) 1500mT(極頭間距為:20mm ) 1000mT(極頭間距為:30mm ) 800mT(極頭間距為:40mm) 600mT(極頭間距為:50mm) |
霍爾效應測試磁場 | 霍爾效應中極頭間距為 30mm，此時磁場最大為1000mT | |
均勻區 | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環境 | 可根據客戶需求定制相關磁性大小的電磁鐵 | |
電學參數 | 電流源 | ±0.1nA—±1000mA |
電流源分辨率 | 0.01nA | |
測量電壓 | ±10nV—±200V | |
溫度環境 | 80K~500K | |
控溫精度 | 0.1K | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm(標準) 16mm*16mm（最大） | |
箱式機柜 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體所霍爾效應 標準測試樣片及數據：1 套 （硅、鍺、砷化鎵、銻化銦） | |
制作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 |
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